半导体细分鸿沟新突破:新声半导体 BAW 滤波器年出货超3亿颗​
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半导体细分鸿沟新突破:新声半导体 BAW 滤波器年出货超3亿颗​

发布日期:2025-07-14 06:02    点击次数:104

在半导体鸿沟,滤波器动作过失元件,恒久被国外厂商附近。如今,中国企业正强势解围。其中,新声半导体的国产 BAW 滤波器收成斐然,年出货量超 3 亿颗,成为半导体行业焦点。而提供产能的,则是中国半导体领军企业华润微在南昌的代工线润芯感知。​

滤波器的伏击性与 FBAR 期间发展​

滤波器在通讯开拓中起着筛选特定频率信号的过失作用。跟着通讯期间向 5G、Wi-Fi 6/7 等标的发展,对滤波器性能冷落了更高条件。FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator,薄膜体声波谐振器)动作一种先进的滤波器期间,具有高功率耐受、小尺寸、低插入损耗、高带外遏止和可用于超高频等优点,成为通讯鸿沟究诘和商用开发的热门。​

当代 FBAR 主要有四种中枢结构。最早大限制量产的是博通的 Swimming Pool+Air Frame 结构,通过在硅衬底中蚀刻空腔提大声波共振驱散和频率取舍性,Air Frame 想象缩小声学损耗。太阳诱电的结构则是在衬底上头造成同样气泡的空气腔,旨趣与博通同样。2016 年出现的 XBAW,以碳化硅衬底上外延助长的单晶 AIN 为压电薄膜,从而提高性能。2021 年,国产射频新锐企业新声半导体冷落自主鼎新的 D-BAW(Double Side Processed Bulk Acoustic Wave Technology,双面键合体声波期间)结构,为如今的国产BAW滤波器量产出货埋下伏笔。​

D-BAW 结构的专有上风​

新声半导体的 D-BAW 结构具有诸多显贵上风。它取舍双面光刻、双面精良加工,能在落魄两面电极边际更活泼精确地加工造成种种 Frame 结构,高效遏止横向声波传播。通过双面键合造成空腔,驱散结构悬空。该结构 MASK(光罩)层数更少,无需复杂抵偿结构,缩小了老本。同期,它突破材料贬抑,可使用多种衬底晶圆和压电材料。其 AlN 压电层极平坦,溅射镀膜质地更好,性能更优,还具备更高的机电转化驱散。​

润芯感知动作南昌高新区参与投资的 MEMS 晶圆产线,中枢运作团队源自领有近二十年智能传感器制造申饬的华润微电子,起先颇高。此前国产 BAW 滤波器受困于 “样品可作念,量产不成控”,而润芯感知率先行者散了 BAW 大限制居品出货的突破。其出产的 BAW 由新声半导体认真想象,两边政策调解打造业界率先的 D-BAW 滤波器,造成自主想象与原土制造紧密协同的 “新方法”。​

出货量率先,性能并列国际​

供应链音信走漏,润芯感知产线昔日一年出货的新声 D-BAW 滤波器超 3 亿颗。这些居品已在主流品牌的手机和平板终局开拓中褂讪从戎,部分型号还利用于多款国表里高端旗舰手机。在国产 BAW 滤波器出货量排行中,新声的 D-BAW 以显贵份额上风位列第一,出货量限制远超其他竞争敌手。​

在居品质能方面,润芯感知与新声协同开发的 D-BAW 滤波器已全面临标国际先进居品。其取舍新声草创的 SiRoof 封装决策,即齐全硅帽 + 干膜有机键合,大幅增强了居品的耐用性和褂讪性。而况,这些性能数据均来自润芯感知南昌产线骨子批量制造、进程可靠性测试的量居品,符号着国产 BAW 滤波器已参加 “性能可控、品质褂讪、客户考证” 的买卖落地阶段。​

新声半导体自 2021 年 3 月配置以来,专注于声学滤波器和射频前端模组的想象与销售,领有多种滤波器期间,可提供 6GHz 频率以下全频段的全系列居品。公司攻克了 TC-SAW 和 BAW 等高难度滤波器想象及工艺体系,造成自主常识产权和褂讪供应链体系。驱散当今,已苦求专利跳跃 500 项,授权发明专利跳跃 170 项,是国内独一无专利侵权风险且大限制量产 BAW 滤波器的厂商。​

新声半导体国产 BAW 滤波器年出货超 3 亿颗,是中国半导体在细分鸿沟的首要突破。它不仅冲突了国外厂商的恒久附近,更以高质地、高销量的姿态在阛阓中站稳脚跟。跟着期间的约束鼎新和产能的握续提高,新声半导体有望在众人半导体滤波器阛阓中占据更伏击的地位,股东中国半导体产业迈向新高度。

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